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多晶制絨工藝將成為提升多晶產品效率的關鍵

頁面更新時間:2016-05-24 16:56

      

【電纜網訊】5月22日保利協鑫CTO萬躍鵬博士指出,在過去的四、五年間,多晶產品效率的提升主要來源于晶體結構的改善,并取得了明顯成效,未來多晶效率的提升將更多地來自于絨面結構的改善。

萬博士表示,一直以來,多晶產品憑借性價比優勢長期占據市場主流。這一優勢主要來自于鑄錠尺寸的增加,以及晶體結構的改善。數據顯示,在鑄錠爐由G5升級為G6的過程中,產品良率、單位產出及能耗都有所改善,最終使平均成本降低約17%。與此同時,多晶在優化晶體結構方面取得了長足進步,推動轉換效率提升了1%以上。如今,多晶與單晶在晶體缺陷方面的效率差異已大幅降低到0.2%左右,已十分接近單晶的水平。

而在表面反射率方面,多晶與單晶仍有0.5%左右的效率差異,這將成為未來多晶技術提升轉換效率的主攻方向。萬博士進一步指出,黑硅技術由于能顯著改善多晶硅片的表面結構,并可以借助金剛線切片技術顯著降低加工成本,而成為未來高效多晶技術的理想解決方案。其中干法(RIE)黑硅可促進電池效率提高0.4%-0.6%,濕法(MCCE)黑硅可促進電池效率提高0.2%-0.4%。

萬博士引用數據指出,近年來單晶技術的多項進步使得成本大為降低,對以性價比優勢主導市場的多晶產品構成了壓力,多晶技術急需取得新的突破。除了黑硅技術和金剛線切片工藝,多晶技術還可以繼續加大鑄錠尺寸和硅片尺寸,并研究PERC電池技術的應用。如今,已有企業應用了多晶黑硅片和PERC技術,量產后可以達到20.5%的轉換效率,說明這一技術具備很大的應用前景。在鑄錠爐升級方面,G6升級為G7后還將降低12%的成本,進一步提高多晶硅片的成本優勢。

總體而言,多晶產品的性價比優勢是其在市場中占據主導地位的關鍵,萬博士強調,隨著技術的更新換代,多晶硅片在轉換效率和成本方面仍有較大的進步空間。可以預見,未來五年,多晶硅片還將占據市場的主導地位。

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